走过长达一年半时间的下行通道，存储芯片赛道有望迎来“寒气散尽”之时。

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“从7月开始，NAND上游厂商有明显的提价意愿，部分主控芯片需求迫切。”华南一家存储芯片代理商人士近日向记者坦言。而在现货市场，根据机构数据显示，从6月开始DRAM价格止跌，已经连2个月呈现持平，这是自2022年3月以来首次出现这种情况。

市场普遍认为，主因部分产品需求出现复苏迹象，叠加包括海力士、三星在内的存储芯片大厂减产，过剩情况得以消解，DRAM价格有触底的可能。业内多方似乎正逐渐形成共识，即存储赛道周期底部已逐渐形成，三季度有望迎来拐点。

在A股市场上，多家存储芯片上市公司股价也出现大幅上涨。截至8月1日午盘，朗科科技股价上涨11.48%，精智达涨逾10%，而同有科技也一度涨逾6%。

有现货价格连续两月持平

存储芯片是半导体市场最主要的细分领域，主要分为闪存和内存，闪存包括NAND Flash和NOR Flash，内存主要为DRAM。

其中，DRAM和NAND Flash两者的销售额合计占整个存储市场的97%左右。手机、服务器、PC是存储三大终端应用，2022年四季度分别占DRAM终端应用的39%、34%、13%，以及NANDFlash的37%、28%、18%。

从2022年年初开始，受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片市场进入了下行周期。

不过，近期以来，底部特征已经逐渐明显。根据TrendForce最新数据显示，7月DRAM平均固定交易价格环比下跌1.47%。这一降幅较6月进一步收窄，在6月份，DRAM平均固定交易价格环比下跌2.86%。

而在现货市场，部分DRAM产品已经止跌。根据DRAMeXchange数据，最常见的DRAM产品DDR4 16Gb 2600的现货从6月开始价格已经止跌，已经连2个月呈现持平，这是自2022年3月以来首次出现这种情况。

实际上，记者采访的多位业内人士也有同感。前述代理商人士告诉记者，在NAND Flash领域，上游原厂有强烈的意愿从7月开始提高价格。“目前部分NAND主控芯片需求迫切，部分型号甚至出现了供不应求的状况，这反映了市场正在逐步回暖。”该人士称。

另一位业内人士也对记者表示，近期部分NAND供应短缺，主要是一些工业用产品或高端应用，如UFS、PCIe产品，这正是市场反弹的信号。而在DRAM方面，该人士预计，合约价格预计将在短期内保持稳定，因为大多数上游厂商在与客户就第三季度供应进行谈判时一直在阻止降价发生。

两大巨头继续削减产能

较为微妙的是，近期包括海力士、三星在内的存储芯片巨头，均发出较为乐观的三季度指引。

海力士预计，Q3 DRAM出货量预期环增 10%-15%，NAND出货量环平，其计划扩大176层SSD产品销售。而三星同样预计，DRAM销售预计增长约15%，NAND市场出货量增加 5-10%，而且其NAND出货量增长略高于市场预期。

而且，两大存储芯片巨头仍在持续减产。海力士表示将继续推进减产计划。从资本开支来看，海力士资本开支于去年三季度开始便持续下降。今年海力士资本开支同比将下降50%以上，其中由于NAND行业库存较高且利润率较低，NAND将进行更大幅度减产。

三星方面也称，该公司将在今年下半年继续削减产能。此外，为了加速存储产品的库存正常化，三星正选择性的对某些DRAM和NAND产品进行额外的生产调整。同时，由于三星预计NAND市场价格的反弹时间将晚于DRAM市场，其将对NAND产品减产幅度更大。

不难看出，两大巨头在减产方面行动一致，这也将加速存储市场价格企稳。

近期在A股市场上，存储芯片行业上市公司也对后期市场走向作出研判。其中香农芯创方面表示，该公司目前部分产品下游需求和价格有所回升，公司预计存储芯片的价格目前在底部区域，下半年价格会重回上升趋势。

而江波龙也在机构调研中称，自各大国际原厂纷纷宣布减产后，减产效应对下游市场产生了影响，但原厂的存储晶圆价格策略与市场的接受程度正处于关键博弈阶段。

高端存储价格有望率先开涨

实际上，尽管目前行业初步出现底部特征，但机构普遍较为看好下半年的存储市场。中航证券方面也认为，随着国际存储巨头相继宣布削减资本开支并减产，以减少行业供应，加速修复存储市场供需平衡。

该机构认为，大厂的减产动作在下半年会逐渐显现成效。随着终端客户和渠道商的库存逐步缓解，存储厂商拒绝再降价出售甚至询单报价频传上涨，定价趋势向好，Q3部分新一代存储产品有望率先迎来上涨。

中信证券也认为，当前存储价格底部明确，高端产品价格有望率先回暖。在该机构看来，随供给侧海外原厂稼动率调整效果在今年下半年逐步显现，并且随品牌厂商新产品发布和消费传统旺季到来，下游需求有望逐步回暖，存储供需关系将持续改善，带动整体存储价格温和回升，高端存储价格有望率先开启涨势。

需要注意的是，随着AI服务器需求暴增，进而带动了HBM需求（高带宽内存），这一领域，市场属于供不应求状态。

HBM是一种新兴的标准动态随机访问存储器解决方案，旨在解决系统内存带宽的瓶颈，其具有基于TSV和芯片堆叠技术的堆叠DRAM架构，可以实现高于256GBps的突破性带宽，同时降低功耗。

但受制于高技术壁垒，目前全球仅海力士、三星、美光能够稳定供应（根据TrendForce，2022 年三家份额分别为50%/40%/10%），国内企业尚处于技术储备期。

其中，海力士二季度包括HBM在内 graphics DRAM销售占比超20%，HBM的产能正迅速扩张（去年四季度占比仅10%），正是由于AI引发的高端服务器需求迅速增长。

而三星正向主要客户提供HBM2与HBM2E产品，而在HBM3中，三星正在接受客户资格认证，并计划在今年下半年推出HBM3E产品。更为重要的是，三星计划在2024年将HBM产能提升至2023年2倍。

民生证券认为，存储周期拐点共识已逐渐形成，未来随着AI带动HBM、DDR5需求，将加速板块上行。

（文章来源：中国基金报）